4月30日，中国高能物理研究所加速器中心研制的两只环形正负电子对撞机（CEPC） 650 MHz 1-cell超导腔（650S4、650S7）完成了垂直测试。测试结果显示，在2K温度下，650S4的品质因数Q值达到2.7E10@35MV/m，650S7的Q值达到3.6E10@32MV/m。该结果创造了国内低频率（<1GHz）椭球型超导腔加速梯度的最高记录，与世界领先水平相当。

　　两只650 MHz 1-cell超导腔的研发借鉴了此前高能所1.3 GHz超导腔研发的成功经验：650S4是一只细晶粒超导腔，采用了重化学抛光+轻电抛光的技术路线；650S7则是一只大晶粒超导腔，先采用柔性（流体）抛光处理了表面的缺陷，再进行轻电抛光处理。

　　未来，科研人员将优化工艺，进一步提高650 MHz 1-cell超导腔（尤其是大晶粒）的加速梯度和品质因数，并从1-cell向2-cell推广。

　　研究工作得到中科院先进光源技术研发与测试平台（PAPS）和CEPC预研项目的支持。

CEPC 650 MHz 1-cell超导腔测试结果（fine grain，细晶粒。large grain，大晶粒）

研究团队单位：高能物理研究所