科研人员提出全低热预算“感存算一体化”单片三维集成原型芯片架构。
后摩尔时代,传统晶体管“几何微缩”进程趋缓,制约了高性能AI芯片的经济性与规模化发展。集成电路新范式通过3D堆叠多功能芯片,实现系统级延迟降低与集成密度提升。在边缘端,采用三维集成架构构建“感存算一体化”的低延时、高能效边缘芯片,已成为应对时延约束、功耗瓶颈等挑战的重要技术方向。
相关研究成果入选VLSI 2026(2026 IEEE Symposium on VLSI Technology)。
研究团队单位:微电子研究所
作者: 文章来源:中国科学院
本文原地址:https://www.iikx.com/news/progress/40833.html
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科研人员提出全低热预算“感存算一体化”单片三维集成原型芯片架构。
后摩尔时代,传统晶体管“几何微缩”进程趋缓,制约了高性能AI芯片的经济性与规模化发展。集成电路新范式通过3D堆叠多功能芯片,实现系统级延迟降低与集成密度提升。在边缘端,采用三维集成架构构建“感存算一体化”的低延时、高能效边缘芯片,已成为应对时延约束、功耗瓶颈等挑战的重要技术方向。
相关研究成果入选VLSI 2026(2026 IEEE Symposium on VLSI Technology)。
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